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NTMD6N02R2
1.6
1000
V GS = 0 V
1.4
I D = 6.0 A
V GS = 4.5 V
100
T J = 125 ° C
100 ° C
1.2
10
1
0.8
1
0.1
25 ° C
0.6
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?To?Source Leakage Current
versus Voltage
2500
2000
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS
QT
V GS
20
16
1500
C rss
3
12
I D = 6 A
1000
500
C rss
C iss
C oss
2
1
Q1
Q2
V DS = 16 V
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
8
4
0
0
0
10
5
0
5
10
15
20
0
4
8
12
16
V GS V DS
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?To?Source and Drain?To?Source
Voltage versus Total Charge
1000
V DS = 16 V
I D = 6.0 A
V GS = 4.5 V
100
t f
t r
t d(off)
10
t d(on)
1
10
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
100
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